采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7956DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@4.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3000，"18+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8664R-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23.5mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO220N03MDGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：1832}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO350N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@6µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7956DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@4.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO150N03MDGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：342000，"11+"：230970，"14+"：243000，"15+"：198000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2412-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1029UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@6V
连续漏极电流：5.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K25GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：85mΩ@5.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：1832}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO350N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@6µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K3FRATB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4740，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO220N03MDGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K41GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7956DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@4.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7956DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@4.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K39GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@200µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K25GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：85mΩ@5.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K39GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@200µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K37GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K37GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO150N03MDGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO150N03MDGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7956DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@4.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K39GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@200µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
