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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3GATMA1
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@33μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，20A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3GATMA1
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@33μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，20A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3GATMA1
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@33μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，20A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：314164，"24+"：11866}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3GATMA1
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@33μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，20A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3GATMA1
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@33μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，20A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：314164，"24+"：11866}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3GATMA1
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@33μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，20A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：6000，"18+"：45000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB25ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：607pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3GATMA1
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@33μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，20A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3GATMA1
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@33μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，20A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：314164，"24+"：11866}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3GATMA1
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@33μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，20A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3GATMA1
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@33μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，20A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：6000，"18+"：45000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB25ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：607pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3GATMA1
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@33μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，20A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3GATMA1
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@33μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，20A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN3406DT2AG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
栅极电荷：24nC@4.5V
输入电容：2.141nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：205pF@15V
导通电阻：13.5mΩ@4.5V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN3406DT2AG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
栅极电荷：24nC@4.5V
输入电容：2.141nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：205pF@15V
导通电阻：13.5mΩ@4.5V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN3406DT2AG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
栅极电荷：24nC@4.5V
输入电容：2.141nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：205pF@15V
导通电阻：13.5mΩ@4.5V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3GATMA1
导通电阻：12.3mΩ@10V，20A
阈值电压：3.5V@33μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
功率：2.1W
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN3406DT2AG
栅极电荷：24nC@4.5V
漏源电压：30V
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~+150℃
反向传输电容：205pF@15V
类型：1个N沟道
导通电阻：13.5mΩ@4.5V，8A
功率：2.1W
输入电容：2.141nF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：10A
功率：2.1W
栅极电荷：11nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：1.25nF@15V
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：314164，"24+"：11866}
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3GATMA1
导通电阻：12.3mΩ@10V，20A
阈值电压：3.5V@33μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
功率：2.1W
漏源电压：80V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：10A
功率：2.1W
栅极电荷：11nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：1.25nF@15V
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
