采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW56N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK040N65Z，S1F
工作温度：150℃
功率：360W
阈值电压：4V@2.85mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6250pF@300V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@28.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N65DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N65DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N65DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N65DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N65DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N65DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK040N65Z，S1F
工作温度：150℃
功率：360W
阈值电压：4V@2.85mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6250pF@300V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@28.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N65DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N65DM2AG
功率：360W
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：650V
包装方式：管件
栅极电荷：88nC@10V
导通电阻：65mΩ@24A，10V
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：48A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK040Z65Z，S1F
工作温度：150℃
功率：360W
阈值电压：4V@2.85mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6250pF@300V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@28.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
