品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG14N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1144pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP190N65F
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3225pF@25V
连续漏极电流:20.6A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0080120D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:4V
栅极电荷:71nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:31.6A
类型:MOSFET
导通电阻:98mΩ
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP21N50C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.9V@1mA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@13.1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP100N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:208W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7300pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP24N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1836pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1995}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP20N60CFDXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:20.7A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@13.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB20N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.9V@1mA
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:20.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@13.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG24N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1836pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA20N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3080pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":101,"21+":190}
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH190N65F-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3225pF@100V
连续漏极电流:20.6A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB90R340C3ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@9.2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG24N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1836pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R125CPATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":139}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R125CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTH35N65G2V-7AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:208W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:73nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@400V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@20A,20V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG14N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1144pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB21N65EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2322pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP20N60C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.9V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:20.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@13.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP17N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2408pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB20N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.9V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:20.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@13.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0080120D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:4V
栅极电荷:71nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:31.6A
类型:MOSFET
导通电阻:98mΩ
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT095N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@2.8mA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2833pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":798}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT095N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@2.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2833pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP20N65C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.9V@1mA
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:20.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@13.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R125CP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:2.5V
栅极电荷:70nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:110mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP21N50C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.9V@1mA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@13.1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA20N60-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3080pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW20N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.9V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:20.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@13.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA20N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3080pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: