采购热线 400-661-9010
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SKI04033
工作温度：150℃
功率：116W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：63.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3910pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@58.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP13N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：116W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP13N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：116W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R506PL，LQ(S
功率：116W
阈值电压：2.5V@500μA
连续漏极电流：94A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10V，47A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R506PL，LQ(S
功率：116W
阈值电压：2.5V@500μA
连续漏极电流：94A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10V，47A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R506PL，LQ(S
功率：116W
阈值电压：2.5V@500μA
连续漏极电流：94A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10V，47A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R506PL，LQ(S
功率：116W
阈值电压：2.5V@500μA
连续漏极电流：94A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10V，47A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R145CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：116W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：19A
类型：MOSFET
导通电阻：145mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SKI07114
工作温度：150℃
功率：116W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4040pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@31.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000}
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R145CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：116W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：19A
类型：MOSFET
导通电阻：145mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SKI04033
工作温度：150℃
功率：116W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：63.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3910pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@58.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP13N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：116W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R506PL，LQ(S
功率：116W
阈值电压：2.5V@500μA
连续漏极电流：94A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10V，47A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R506PL，LQ(S
功率：116W
阈值电压：2.5V@500μA
连续漏极电流：94A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10V，47A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R506PL，LQ(S
功率：116W
阈值电压：2.5V@500μA
连续漏极电流：94A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10V，47A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R506PL，LQ(S
功率：116W
阈值电压：2.5V@500μA
连续漏极电流：94A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10V，47A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R506PL，LQ(S
功率：116W
阈值电压：2.5V@500μA
连续漏极电流：94A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10V，47A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R145CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：116W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：19A
类型：MOSFET
导通电阻：145mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R145CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：116W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：19A
类型：MOSFET
导通电阻：145mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R145CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：116W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：19A
类型：MOSFET
导通电阻：145mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT185N60S5H
工作温度：-55℃~150℃
功率：116W
阈值电压：4.3V@1.4mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R145CFD7XTMA1
阈值电压：4V
包装方式：Reel
连续漏极电流：19A
功率：116W
漏源电压：650V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：145mΩ
栅极电荷：28nC
ECCN：EAR99
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R506PL，LQ(S
导通电阻：3.5mΩ@10V，47A
阈值电压：2.5V@500μA
类型：1个N沟道
功率：116W
漏源电压：60V
连续漏极电流：94A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT185N60S5H
工作温度：-55℃~150℃
功率：116W
阈值电压：4.3V@1.4mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT185N60S5H
工作温度：-55℃~150℃
功率：116W
阈值电压：4.3V@1.4mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT185N60S5H
工作温度：-55℃~150℃
功率：116W
阈值电压：4.3V@1.4mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000}
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R145CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：116W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：19A
类型：MOSFET
导通电阻：145mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000}
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R145CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：116W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：19A
类型：MOSFET
导通电阻：145mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000}
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R145CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：116W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：19A
类型：MOSFET
导通电阻：145mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R506PL，LQ(S
功率：116W
阈值电压：2.5V@500μA
连续漏极电流：94A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10V，47A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
