采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"08+"：16000，"09+"：4000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：357mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"21+"：40000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：357mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"21+"：88000}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：357mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKCX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKCX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKCX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@260mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@260mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@260mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@260mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@260mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：357mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKCX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKCX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKCX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"08+"：16000，"09+"：4000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：357mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKCX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@260mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@260mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@260mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"21+"：40000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：357mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
