品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":47186}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK60S7DPK-M0#T0
工作温度:150℃
功率:227.2W
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPT042N10S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:227.2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:102nC@10V
输入电容:7.102nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
反向传输电容:174pF@50V
导通电阻:3.5mΩ@10V,50A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPT042N10S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:227.2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:102nC@10V
输入电容:7.102nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
反向传输电容:174pF@50V
导通电阻:3.5mΩ@10V,50A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":47186}
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规格型号(MPN):RJK60S7DPK-M0#T0
工作温度:150℃
功率:227.2W
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":47186}
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规格型号(MPN):RJK60S7DPK-M0#T0
工作温度:150℃
功率:227.2W
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":47186}
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规格型号(MPN):RJK60S7DPK-M0#T0
工作温度:150℃
功率:227.2W
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":47186}
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规格型号(MPN):RJK60S7DPK-M0#T0
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功率:227.2W
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":47186}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK60S7DPK-M0#T0
工作温度:150℃
功率:227.2W
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPT042N10S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:227.2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:102nC@10V
输入电容:7.102nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
反向传输电容:174pF@50V
导通电阻:3.5mΩ@10V,50A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPT042N10S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:227.2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:102nC@10V
输入电容:7.102nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
反向传输电容:174pF@50V
导通电阻:3.5mΩ@10V,50A
漏源电压:100V
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品牌:MINOS
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):MPT042N10S
功率:227.2W
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@10V,50A
输入电容:7.102nF@50V
栅极电荷:102nC@10V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
反向传输电容:174pF@50V
连续漏极电流:120A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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