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    行业应用: 工业
    功率: 87W
    当前匹配商品:60+
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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订2个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订2个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订10个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订10个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

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    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

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    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

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    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

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    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 A3T23H450W23SR6 起订50个装
    NXP Mosfet场效应管 A3T23H450W23SR6 起订50个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":476}

    包装规格(MPQ):150psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):A3T23H450W23SR6

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    功率:87W

    阈值电压:1.3V

    ECCN:EAR99

    包装方式:Reel

    类型:RF-MOSFET

    漏源电压:-0.5V€65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK4R4P06PL,RQ 起订1000个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK4R4P06PL,RQ 起订1000个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK4R4P06PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.5V@500µA

    栅极电荷:48.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3280pF@30V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

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    漏源电压:60V

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    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

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    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订1000个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订1000个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

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    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订1000个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订1000个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6006PND3FRATL

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    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订10个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订10个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

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    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6006PND3FRATL

    功率:87W

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    类型:1个N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6006PND3FRATL

    功率:87W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 A3T23H450W23SR6 起订100个装
    NXP Mosfet场效应管 A3T23H450W23SR6 起订100个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":476}

    包装规格(MPQ):150psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):A3T23H450W23SR6

    工作温度:-40℃~+150℃

    功率:87W

    阈值电压:1.3V

    ECCN:EAR99

    包装方式:Reel

    类型:RF-MOSFET

    漏源电压:-0.5V€65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK4R4P06PL,RQ 起订1000个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK4R4P06PL,RQ 起订1000个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK4R4P06PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.5V@500µA

    栅极电荷:48.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3280pF@30V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@29A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MDT60N06D 起订17个装
    MINOS Mosfet场效应管 MDT60N06D 起订17个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT60N06D

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:87W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:31nC@10V

    输入电容:910pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:30pF@25V

    导通电阻:12mΩ@10V,25A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6006PND3FRATL

    功率:87W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6006PND3FRATL

    功率:87W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订2500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订2500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订2个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订2个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK4R4P06PL,RQ 起订2个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK4R4P06PL,RQ 起订2个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK4R4P06PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.5V@500µA

    栅极电荷:48.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3280pF@30V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@29A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK4R4P06PL,RQ 起订2个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK4R4P06PL,RQ 起订2个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK4R4P06PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.5V@500µA

    栅极电荷:48.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3280pF@30V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@29A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6006PND3FRATL

    功率:87W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 A3T23H450W23SR6 起订3个装
    NXP Mosfet场效应管 A3T23H450W23SR6 起订3个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":476}

    包装规格(MPQ):150psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):A3T23H450W23SR6

    工作温度:-40℃~+150℃

    功率:87W

    阈值电压:1.3V

    ECCN:EAR99

    包装方式:Reel

    类型:RF-MOSFET

    漏源电压:-0.5V€65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6006PND3FRATL

    功率:87W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6006PND3FRATL

    功率:87W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6006PND3FRATL

    功率:87W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 A3T23H450W23SR6 起订300个装
    NXP Mosfet场效应管 A3T23H450W23SR6 起订300个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":476}

    包装规格(MPQ):150psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):A3T23H450W23SR6

    工作温度:-40℃~+150℃

    功率:87W

    阈值电压:1.3V

    ECCN:EAR99

    包装方式:Reel

    类型:RF-MOSFET

    漏源电压:-0.5V€65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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