品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
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库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":476}
包装规格(MPQ):150psc
销售单位:个
规格型号(MPN):A3T23H450W23SR6
工作温度:-40℃~+150℃
功率:87W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
包装方式:Reel
类型:RF-MOSFET
漏源电压:-0.5V€65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK4R4P06PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:48.2nC@10V
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输入电容:3280pF@30V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
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输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
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库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
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类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":476}
包装规格(MPQ):150psc
销售单位:个
规格型号(MPN):A3T23H450W23SR6
工作温度:-40℃~+150℃
功率:87W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
包装方式:Reel
类型:RF-MOSFET
漏源电压:-0.5V€65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK4R4P06PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:48.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3280pF@30V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT60N06D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:87W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:30pF@25V
导通电阻:12mΩ@10V,25A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK4R4P06PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:48.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3280pF@30V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK4R4P06PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:48.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3280pF@30V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":476}
包装规格(MPQ):150psc
销售单位:个
规格型号(MPN):A3T23H450W23SR6
工作温度:-40℃~+150℃
功率:87W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
包装方式:Reel
类型:RF-MOSFET
漏源电压:-0.5V€65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":476}
包装规格(MPQ):150psc
销售单位:个
规格型号(MPN):A3T23H450W23SR6
工作温度:-40℃~+150℃
功率:87W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
包装方式:Reel
类型:RF-MOSFET
漏源电压:-0.5V€65V
包装清单:商品主体 * 1
库存: