采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6661
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：90V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2537CQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流：11.6A€9A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6661
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：90V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2537CQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流：11.6A€9A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
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规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6661
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功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：90V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2537CQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流：11.6A€9A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6661
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：90V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM2537CQ RFG
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功率：6.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流：11.6A€9A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM2537CQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流：11.6A€9A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM2537CQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流：11.6A€9A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2537CQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流：11.6A€9A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2537CQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流：11.6A€9A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2537CQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：1V@250µA
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连续漏极电流：11.6A€9A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2537CQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流：11.6A€9A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2537CQ RFG
输入电容：677pF@10V€744pF@10V
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：6.25W
连续漏极电流：11.6A€9A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6661
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：90V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3Ω@1A，10V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
功率：6.25W
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：2N6661
漏源电压：90V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
阈值电压：2V@1mA
功率：6.25W
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：350mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3Ω@1A，10V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
功率：6.25W
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2537CQ RFG
输入电容：677pF@10V€744pF@10V
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：6.25W
连续漏极电流：11.6A€9A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2537CQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流：11.6A€9A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2537CQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流：11.6A€9A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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