采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA070B
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：2.7V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@700V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@30A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA070B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：2.7V@2mA
栅极电荷：99nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@700V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@30A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA070B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：2.7V@2mA
栅极电荷：99nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@700V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@30A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB016N04AL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：167nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11600pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0032120K
工作温度：-40℃~175℃
功率：283W
阈值电压：3.6V@11.5mA
栅极电荷：118nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3357pF@1000V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@40A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA070B
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：2.7V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@700V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@30A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：CREE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0032120D
工作温度：-40℃~175℃
功率：283W
阈值电压：3.6V@11.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3357pF@1000V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@40A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0032120K
工作温度：-40℃~175℃
功率：283W
阈值电压：3.6V@11.5mA
栅极电荷：118nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3357pF@1000V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@40A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0032120K
工作温度：-40℃~175℃
功率：283W
阈值电压：3.6V@11.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3357pF@1000V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@40A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA070B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：2.7V@2mA
栅极电荷：99nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@700V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@30A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0032120K
工作温度：-40℃~175℃
功率：283W
阈值电压：3.6V@11.5mA
栅极电荷：118nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3357pF@1000V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@40A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：21，"18+"：1840，"19+"：30，"20+"：5，"MI+"：4030}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5860NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10760pF@25V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：21，"18+"：1840，"19+"：30，"20+"：5，"MI+"：4030}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5860NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10760pF@25V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB016N04AL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：167nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11600pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA070B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：2.7V@2mA
栅极电荷：99nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@700V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@30A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：21，"18+"：1840，"19+"：30，"20+"：5，"MI+"：4030}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5860NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10760pF@25V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA070B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：2.7V@2mA
栅极电荷：99nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@700V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@30A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA070B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：2.7V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@700V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@30A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA070B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：2.7V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@700V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@30A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：CREE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0032120D
工作温度：-40℃~175℃
功率：283W
阈值电压：3.6V@11.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3357pF@1000V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@40A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：21，"18+"：1840，"19+"：30，"20+"：5，"MI+"：4030}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5860NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10760pF@25V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5860NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10760pF@25V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5860NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10760pF@25V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5860NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10760pF@25V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA070B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：2.7V@2mA
栅极电荷：99nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@700V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@30A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA070B
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
阈值电压：2.7V@2mA
功率：283W
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：44mΩ@30A，20V
漏源电压：700V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@700V
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA070B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：2.7V@2mA
栅极电荷：99nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@700V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@30A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0032120K
工作温度：-40℃~175℃
功率：283W
阈值电压：3.6V@11.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3357pF@1000V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@40A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB016N04AL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：167nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11600pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB016N04AL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：167nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11600pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
