采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8550pF@25V
连续漏极电流：519A
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS140ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3111pF@25V
连续漏极电流：214A
类型：N沟道
导通电阻：2.53mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS140ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3111pF@25V
连续漏极电流：214A
类型：N沟道
导通电阻：2.53mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R030M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：5.7V@8.8mA
栅极电荷：48nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1643pF@400V
连续漏极电流：53A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@29.5A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS140ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3111pF@25V
连续漏极电流：214A
类型：N沟道
导通电阻：2.53mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS140ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3111pF@25V
连续漏极电流：214A
类型：N沟道
导通电阻：2.53mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：124}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R030M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：5.7V@8.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1643pF@400V
连续漏极电流：53A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@29.5A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS140ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3111pF@25V
连续漏极电流：214A
类型：N沟道
导通电阻：2.53mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS140ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3111pF@25V
连续漏极电流：214A
类型：N沟道
导通电阻：2.53mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8550pF@25V
连续漏极电流：519A
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS140ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3111pF@25V
连续漏极电流：214A
类型：N沟道
导通电阻：2.53mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS140ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3111pF@25V
连续漏极电流：214A
类型：N沟道
导通电阻：2.53mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS140ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3111pF@25V
连续漏极电流：214A
类型：N沟道
导通电阻：2.53mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS140ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3111pF@25V
连续漏极电流：214A
类型：N沟道
导通电阻：2.53mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8550pF@25V
连续漏极电流：519A
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS140ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3111pF@25V
连续漏极电流：214A
类型：N沟道
导通电阻：2.53mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8550pF@25V
连续漏极电流：519A
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS140ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3111pF@25V
连续漏极电流：214A
类型：N沟道
导通电阻：2.53mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2574}
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA170N10S5N031AUMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：197W
阈值电压：3.8V
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：170A
类型：MOSFET
导通电阻：3.1mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R030M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：5.7V@8.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1643pF@400V
连续漏极电流：53A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@29.5A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS140ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3111pF@25V
连续漏极电流：214A
类型：N沟道
导通电阻：2.53mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8550pF@25V
连续漏极电流：519A
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS140ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3111pF@25V
连续漏极电流：214A
类型：N沟道
导通电阻：2.53mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS140ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3111pF@25V
连续漏极电流：214A
类型：N沟道
导通电阻：2.53mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R030M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：5.7V@8.8mA
栅极电荷：48nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1643pF@400V
连续漏极电流：53A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@29.5A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8550pF@25V
连续漏极电流：519A
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8550pF@25V
连续漏极电流：519A
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R030M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：5.7V@8.8mA
栅极电荷：48nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1643pF@400V
连续漏极电流：53A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@29.5A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R030M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：5.7V@8.8mA
栅极电荷：48nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1643pF@400V
连续漏极电流：53A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@29.5A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8550pF@25V
连续漏极电流：519A
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
