品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@15V
连续漏极电流:19.1A€65.7A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR5710DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.8A€26.8A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS10ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3030pF@20V
连续漏极电流:31.7A€109A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS10ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3030pF@20V
连续漏极电流:31.7A€109A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS10ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3030pF@20V
连续漏极电流:31.7A€109A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR5710DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.8A€26.8A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR5710DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.8A€26.8A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@15V
连续漏极电流:19.1A€65.7A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR5710DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.8A€26.8A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR5710DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.8A€26.8A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@15V
连续漏极电流:19.1A€65.7A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@15V
连续漏极电流:19.1A€65.7A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS10ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3030pF@20V
连续漏极电流:31.7A€109A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR5710DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.8A€26.8A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS10ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3030pF@20V
连续漏极电流:31.7A€109A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@15V
连续漏极电流:19.1A€65.7A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@15V
连续漏极电流:19.1A€65.7A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@15V
连续漏极电流:19.1A€65.7A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR5710DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.8A€26.8A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@15V
连续漏极电流:19.1A€65.7A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: