采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：319W
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1762pF@800V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
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规格型号(MPN)：NTH4L040N120SC1
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功率：319W
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包装方式：管件
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连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：NTH4L040N120SC1
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：NTH4L040N120SC1
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：NVH4L040N120SC1
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规格型号(MPN)：NTH4L040N120SC1
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规格型号(MPN)：NTH4L040N120SC1
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功率：319W
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：NTH4L040N120SC1
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：NVH4L040N120SC1
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功率：319W
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类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：319W
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类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：319W
ECCN：EAR99
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包装方式：管件
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：NVH4L040N120SC1
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVH4L040N120SC1
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类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：319W
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：管件
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连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：319W
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：管件
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连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：319W
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包装方式：管件
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连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：319W
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1762pF@800V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：319W
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1762pF@800V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120SC1
栅极电荷：106nC@20V
输入电容：1762pF@800V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：58A
包装方式：管件
功率：319W
导通电阻：56mΩ@35A，20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120SC1
栅极电荷：106nC@20V
输入电容：1762pF@800V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：58A
包装方式：管件
功率：319W
ECCN：EAR99
导通电阻：56mΩ@35A，20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSCSM170TAM45CT3AG
工作温度：-40℃~175℃
功率：319W
阈值电压：3.2V@2.5mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：3300pF@1000V
连续漏极电流：64A
类型：6N-沟道（3相桥）
导通电阻：45mΩ@30A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120SC1
栅极电荷：106nC@20V
输入电容：1762pF@800V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：58A
包装方式：管件
功率：319W
导通电阻：56mΩ@35A，20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N120SC1
栅极电荷：106nC@20V
输入电容：1762pF@800V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：58A
包装方式：管件
功率：319W
导通电阻：56mΩ@35A，20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSCSM170HM45CT3AG
工作温度：-40℃~175℃
功率：319W
阈值电压：3.2V@2.5mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：3300pF@1000V
连续漏极电流：64A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：45mΩ@30A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：319W
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1762pF@800V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：319W
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1762pF@800V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：319W
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1762pF@800V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：319W
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1762pF@800V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSCSM170AM45CT1AG
工作温度：-40℃~175℃
功率：319W
阈值电压：3.2V@2.5mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：3300pF@1000V
连续漏极电流：64A
类型：2N沟道（相角）
导通电阻：45mΩ@30A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：25}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：319W
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1762pF@800V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
