采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：24000，"MI+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：30A€174A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8008LFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2254pF@40V
连续漏极电流：17A€70A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：24000，"MI+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：30A€174A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4782，"19+"：60000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHD71NQ03LT，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4782，"19+"：60000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHD71NQ03LT，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8008LFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2254pF@40V
连续漏极电流：17A€70A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：30A€174A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4782，"19+"：60000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHD71NQ03LT，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8008LFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2254pF@40V
连续漏极电流：17A€70A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：24000，"MI+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：30A€174A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8008LFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€50W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：17A€70A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH8008LFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€50W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：37.7nC@10V
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连续漏极电流：17A€70A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8008LFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.7nC@10V
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连续漏极电流：17A€70A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC8010ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：30A€174A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC8010ET30
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功率：2.8W€65W
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连续漏极电流：30A€174A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC8010ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：94nC@10V
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输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：30A€174A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8008LFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：17A€70A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010ET30
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：5860pF@15V
阈值电压：2.5V@1mA
功率：2.8W€65W
连续漏极电流：30A€174A
栅极电荷：94nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8008LFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2254pF@40V
连续漏极电流：17A€70A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8008LFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€50W
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类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010ET30
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类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8008LFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€50W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2254pF@40V
连续漏极电流：17A€70A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8008LFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€50W
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类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8008LFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€50W
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连续漏极电流：17A€70A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8008LFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2254pF@40V
连续漏极电流：17A€70A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8008LFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€50W
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：17A€70A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8008LFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€50W
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：17A€70A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8008LFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：17A€70A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8008LFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2254pF@40V
连续漏极电流：17A€70A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：30A€174A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
