首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~175℃
    阈值电压: 2.2V@250µA
    类型: N沟道
    漏源电压: 60V
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C680NLWFTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C680NLWFTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C680NLWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€20W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:327pF@25V

    连续漏极电流:7.82A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C658NLWFTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C658NLWFTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:114W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1935pF@25V

    连续漏极电流:109A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD18532KCS
    TI Mosfet场效应管 CSD18532KCS

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4680pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    MCC Mosfet场效应管 MCU80N06A-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCU80N06A-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU80N06A-TP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1990pF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD18532KCS
    TI Mosfet场效应管 CSD18532KCS

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4680pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    TI Mosfet场效应管 CSD18536KTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18536KTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18536KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11430pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    AOS Mosfet场效应管 AONS62614T
    AOS Mosfet场效应管 AONS62614T

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS62614T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.5W€142W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3660pF@30V

    连续漏极电流:39A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C680NLTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C680NLTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C680NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€20W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:327pF@25V

    连续漏极电流:7.82A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD18532KCS
    TI Mosfet场效应管 CSD18532KCS

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4680pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KTTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KTTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18542KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:200A€170A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KCS 起订50个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KCS 起订50个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18542KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KTTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KTTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18542KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:200A€170A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KTTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KTTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18542KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:200A€170A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C658NLWFTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C658NLWFTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:114W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1935pF@25V

    连续漏极电流:109A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C658NLWFTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C658NLWFTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:114W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1935pF@25V

    连续漏极电流:109A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD18536KTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18536KTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18536KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11430pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18542KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KTTT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KTTT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18542KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:200A€170A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    TI Mosfet场效应管 CSD18536KCS
    TI Mosfet场效应管 CSD18536KCS

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18536KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11430pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD18532KCS
    TI Mosfet场效应管 CSD18532KCS

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4680pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD18536KTTT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18536KTTT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18536KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11430pF@30V

    连续漏极电流:200A€349A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS001N06CLTXG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS001N06CLTXG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMTS001N06CLTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12300pF@25V

    连续漏极电流:398.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.81mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD18536KTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18536KTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:16+

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18536KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11430pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18542KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    AOS Mosfet场效应管 AONS62614T
    AOS Mosfet场效应管 AONS62614T

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS62614T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.5W€142W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3660pF@30V

    连续漏极电流:39A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C680NLTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C680NLTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C680NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€20W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:327pF@25V

    连续漏极电流:7.82A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD18536KTTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18536KTTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18536KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11430pF@30V

    连续漏极电流:200A€349A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KCS
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KCS

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18542KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD18532KCS
    TI Mosfet场效应管 CSD18532KCS

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4680pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU80N06A-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCU80N06A-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU80N06A-TP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1990pF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧