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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2925}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4855N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.35W€66.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32.7nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2950pF@12V
连续漏极电流：14A€98A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：4950}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4854N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.43W€93.75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49.2nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：4600pF@12V
连续漏极电流：15.7A€128A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2550}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4856N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.33W€60W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2241pF@12V
连续漏极电流：13.3A€89A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：1500，"10+"：45825，"11+"：195900}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863N-35G
工作温度：-55℃~175℃
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包装方式：管件
输入电容：990pF@12V
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类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：1800}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4854N-1G
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包装方式：管件
输入电容：4600pF@12V
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类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：75，"13+"：750，"14+"：110416，"18+"：5425}
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规格型号(MPN)：NTD4858N-35G
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功率：1.3W€54.5W
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栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1563pF@12V
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类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：1500，"10+"：45825，"11+"：195900}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
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栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：990pF@12V
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类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2250}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4856N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.33W€60W
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栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2241pF@12V
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类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：10425}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4855N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.35W€66.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32.7nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2950pF@12V
连续漏极电流：14A€98A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：5700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4857NA-1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1960pF@12V
连续漏极电流：12A€78A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：75，"13+"：750，"14+"：110416，"18+"：5425}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4858N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€54.5W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1563pF@12V
连续漏极电流：11.2A€73A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：8325}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NA-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：13050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4865N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€33.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：827pF@12V
连续漏极电流：8.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：1800}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4854N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.43W€93.75W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：49.2nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：4600pF@12V
连续漏极电流：15.7A€128A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：1800}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4854N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.43W€93.75W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：49.2nC@4.5V
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输入电容：4600pF@12V
连续漏极电流：15.7A€128A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：8475}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863N-1G
工作温度：-55℃~175℃
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ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
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输入电容：990pF@12V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4858N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€54.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1563pF@12V
连续漏极电流：11.2A€73A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4855N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.35W€66.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：32.7nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2950pF@12V
连续漏极电流：14A€98A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4857NA-1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1960pF@12V
连续漏极电流：12A€78A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4865N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€33.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：827pF@12V
连续漏极电流：8.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：990pF@12V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4865N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€33.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：827pF@12V
连续漏极电流：8.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4858N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€54.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1563pF@12V
连续漏极电流：11.2A€73A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4856N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.33W€60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2241pF@12V
连续漏极电流：13.3A€89A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NA-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4856N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.33W€60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2241pF@12V
连续漏极电流：13.3A€89A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NA-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4854N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.43W€93.75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49.2nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：4600pF@12V
连续漏极电流：15.7A€128A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：8400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4857N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.31W€56.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1960pF@12V
连续漏极电流：12A€78A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：13050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4865N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€33.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：827pF@12V
连续漏极电流：8.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
