品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA80N10T
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3040pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4411pF@50V
连续漏极电流:19.5A€131A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@48A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":3175}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD32N06-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€93.75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1725pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):692psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2525pF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP110N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@50V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":10958,"05+":127926,"06+":234436,"08+":11,"10+":504,"11+":6007,"12+":8548,"13+":363,"15+":117,"MI+":462223}
包装规格(MPQ):692psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2525pF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4411pF@50V
连续漏极电流:19.5A€131A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@48A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR48ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1720pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@37A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP110N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@50V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB55NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP77N06S212AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:4V@93µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@38A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N08-16-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@40A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP55NF06FP
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4411pF@50V
连续漏极电流:19.5A€131A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@48A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":647}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4411pF@50V
连续漏极电流:19.5A€131A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@48A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":12000,"18+":200,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S3H4ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@65µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP55NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N08-16-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@40A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4411pF@50V
连续漏极电流:19.5A€131A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@48A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: