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    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~175℃
    栅极电荷: 49nC@10V
    当前匹配商品:200+
    商品信息
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:148W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2404pF@50V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR578EP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR578EP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR578EP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.5W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2540pF@75V

    连续漏极电流:17.4A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LPSQ-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LPSQ-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3367pF@20V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA60N10T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA60N10T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA60N10T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2650pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP147N12N3GXKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP147N12N3GXKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP147N12N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@61µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@60V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.7mΩ@56A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R3-40YS,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R3-40YS,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:117W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2754pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:148W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2404pF@50V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R3-40YS,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R3-40YS,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:117W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2754pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LPSQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LPSQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3367pF@20V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R3-40YS,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R3-40YS,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:117W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2754pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86340ET80 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86340ET80 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86340ET80

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€65W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2775pF@40V

    连续漏极电流:14A€68A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:148W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2404pF@50V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S4L12ATMA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S4L12ATMA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60N10S4L12ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:2.1V@46µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3170pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP60N10T 起订250个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP60N10T 起订250个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP60N10T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:49nC@10V

    输入电容:2650pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI147N12N3GAKSA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI147N12N3GAKSA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":14603,"15+":5155}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI147N12N3GAKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@61µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@60V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.7mΩ@56A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:148W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2404pF@50V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S4L12ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S4L12ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500,"23+":805}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60N10S4L12ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:2.1V@46µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3170pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB144N12N3GATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB144N12N3GATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB144N12N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@61µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3220pF@60V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@56A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSTATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSTATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4288,"23+":15349,"24+":4582}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC028N06NSTATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€100W

    阈值电压:3.3V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3375pF@30V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI147N12N3GAKSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI147N12N3GAKSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":14603,"15+":5155}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI147N12N3GAKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@61µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@60V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.7mΩ@56A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LPSQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LPSQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3367pF@20V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LPSQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LPSQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3367pF@20V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD508 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD508 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD508

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2010pF@15V

    连续漏极电流:22A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD508 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD508 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD508

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2010pF@15V

    连续漏极电流:22A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LPSQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LPSQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3367pF@20V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSTATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSTATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4288,"23+":15349,"24+":4582}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC028N06NSTATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€100W

    阈值电压:3.3V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3375pF@30V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP147N12N3GXKSA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP147N12N3GXKSA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP147N12N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@61µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@60V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.7mΩ@56A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP147N12N3GXKSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP147N12N3GXKSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP147N12N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@61µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@60V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.7mΩ@56A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB144N12N3GATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB144N12N3GATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB144N12N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@61µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3220pF@60V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@56A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100PS,127 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100PS,127 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN016-100PS,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:148W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2404pF@50V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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