品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB019N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.8V@194µA
栅极电荷:186nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8700pF@40V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:1.95mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB019N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.8V@194µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:186nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8700pF@40V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:1.95mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB019N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.8V@194µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:186nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8700pF@40V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:1.95mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H003SPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5542pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H003SPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5542pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB032N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3.8V@125µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6970pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@83A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H003SPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5542pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB032N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3.8V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6970pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@83A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB019N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.8V@194µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:186nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8700pF@40V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:1.95mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB032N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3.8V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6970pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@83A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB032N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3.8V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6970pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@83A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB032N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3.8V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6970pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@83A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":359}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB032N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3.8V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6970pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@83A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB019N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.8V@194µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:186nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8700pF@40V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:1.95mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB032N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3.8V@125µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6970pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@83A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H003SPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5542pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB032N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3.8V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6970pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@83A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB032N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3.8V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6970pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@83A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":646}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB032N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3.8V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6970pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@83A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB019N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.8V@194µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:186nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8700pF@40V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:1.95mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB032N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3.8V@125µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6970pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@83A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H003SPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5542pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB032N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3.8V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6970pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@83A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB032N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3.8V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6970pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@83A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB019N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.8V@194µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:186nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8700pF@40V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:1.95mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB019N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.8V@194µA
栅极电荷:186nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8700pF@40V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:1.95mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1100}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB019N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.8V@194µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:186nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8700pF@40V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:1.95mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1100}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB019N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.8V@194µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:186nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8700pF@40V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:1.95mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB032N10N5ATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6970pF@50V
类型:N沟道
连续漏极电流:166A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:3.2mΩ@83A,10V
阈值电压:3.8V@125µA
栅极电荷:95nC@10V
功率:187W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
生产批次:{"22+":1100}
规格型号(MPN):IPB019N08NF2SATMA1
包装方式:卷带(TR)
功率:250W
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:166A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.8V@194µA
导通电阻:1.95mΩ@100A,10V
栅极电荷:186nC@10V
输入电容:8700pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: