采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6023SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：53.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2569pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6016LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：10.8A€46.9A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5875NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：33mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH1006UPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：124nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6334pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5852NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH1006UPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：124nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6334pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6023SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2569pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6023SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2569pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6023SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2569pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH1006UPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：124nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6334pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH1006UPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：124nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6334pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5852NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5852NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5875NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：33mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6023SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：53.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2569pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6023SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：53.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2569pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH1006UPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：124nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6334pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5852NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH1006UPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：124nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6334pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS8DN6LF6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1340pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS8DN6LF6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1340pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS8DN6LF6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1340pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS8DN6LF6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1340pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH1006UPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：124nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6334pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH1006UPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：124nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6334pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5875NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：33mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH1006UPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：124nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6334pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH1006UPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：124nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6334pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH1006UPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：124nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6334pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5852NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
