采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA083N10NM5SXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：3.8V@49µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@14A，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@14A，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@14A，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP085N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2695pF@50V
连续漏极电流：96A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@96A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@14A，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA083N10NM5SXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：3.8V@49µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@14A，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB5615PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1750pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@21A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB5615PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1750pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@21A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB5615PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1750pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@21A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB5615PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1750pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@21A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：900，"12+"：4200，"13+"：9224，"9999"：1476}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414AN-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@14A，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@14A，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@14A，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@14A，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414AN-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414AN-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414AN-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFSL5615PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1750pF@50V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@21A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB5615PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1750pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@21A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@14A，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP085N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2695pF@50V
连续漏极电流：96A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@96A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@14A，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：934}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFSL5615PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1750pF@50V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@21A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB5615PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1750pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@21A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB5615PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1750pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@21A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@14A，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：500，"22+"：353}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA083N10NM5SXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：3.8V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
