采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF70
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2550pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@40A，10V
漏源电压：68V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R020M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：5.2V@17.6mA
栅极电荷：83nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3460nF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：26.9mΩ@41A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R020M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：5.2V@17.6mA
栅极电荷：83nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3460nF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：26.9mΩ@41A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF70
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2550pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@40A，10V
漏源电压：68V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5862NG
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF70
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2550pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@40A，10V
漏源电压：68V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R020M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：5.2V@17.6mA
栅极电荷：83nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3460nF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：26.9mΩ@41A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA120R020M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：5.2V@17.6mA
栅极电荷：83nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3460nF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：26.9mΩ@41A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF70
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2550pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@40A，10V
漏源电压：68V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R020M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：5.2V@17.6mA
栅极电荷：83nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3460nF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：26.9mΩ@41A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R020M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：5.2V@17.6mA
栅极电荷：83nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3460nF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：26.9mΩ@41A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA120R020M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：5.2V@17.6mA
栅极电荷：83nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3460nF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：26.9mΩ@41A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R020M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：5.2V@17.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3460nF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：26.9mΩ@41A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA120R020M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：5.2V@17.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3460nF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：26.9mΩ@41A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：77}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA120R020M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：5.2V@17.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3460nF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：26.9mΩ@41A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R020M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：5.2V@17.6mA
栅极电荷：83nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3460nF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：26.9mΩ@41A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5862NG
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF70
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2550pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@40A，10V
漏源电压：68V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA120R020M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：5.2V@17.6mA
栅极电荷：83nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3460nF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：26.9mΩ@41A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF70
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2550pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@40A，10V
漏源电压：68V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA120R020M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：5.2V@17.6mA
栅极电荷：83nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3460nF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：26.9mΩ@41A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA120R020M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：5.2V@17.6mA
栅极电荷：83nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3460nF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：26.9mΩ@41A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA120R020M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：5.2V@17.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3460nF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：26.9mΩ@41A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R020M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：5.2V@17.6mA
栅极电荷：83nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3460nF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：26.9mΩ@41A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA120R020M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：5.2V@17.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3460nF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：26.9mΩ@41A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：77}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA120R020M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：5.2V@17.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3460nF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：26.9mΩ@41A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5862NG
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R020M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：5.2V@17.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3460nF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：26.9mΩ@41A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€139W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF70
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2550pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@40A，10V
漏源电压：68V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
