品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP076N12N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6640pF@60V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":71780,"18+":32950,"19+":25461,"23+":27000,"MI+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-80PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6793pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP076N12N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6640pF@60V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI076N12N3GAKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI076N12N3GAKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6640pF@60V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":71780,"18+":32950,"19+":25461,"23+":27000,"MI+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-80PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6793pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":71780,"18+":32950,"19+":25461,"23+":27000,"MI+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-80PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6793pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI076N12N3GAKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP076N12N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6640pF@60V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19535KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7930pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI076N12N3GAKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6640pF@60V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP076N12N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6640pF@60V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19535KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7930pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):CSD19535KCS
输入电容:7930pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
导通电阻:3.6mΩ@100A,10V
功率:300W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:101nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):IPI076N12N3GAKSA1
功率:188W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:120V
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
导通电阻:7.6mΩ@100A,10V
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ECCN:EAR99
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