采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA120R014M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：5.2V@23.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580nF@25V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：18.4mΩ@54.3A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R014M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：5.2V@23.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580nF@25V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：18.4mΩ@54.3A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R014M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：5.2V@23.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580nF@25V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：18.4mΩ@54.3A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：686W
阈值电压：4.63V@37mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：329nC@18V
包装方式：管件
输入电容：6230pF@800V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：686W
阈值电压：4.63V@37mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：329nC@18V
包装方式：管件
输入电容：6230pF@800V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R014M1HXKSA1
栅极电荷：110nC@18V
输入电容：4580nF@25V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：18.4mΩ@54.3A，18V
包装方式：管件
阈值电压：5.2V@23.4mA
ECCN：EAR99
功率：455W
连续漏极电流：127A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：686W
阈值电压：4.63V@37mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：329nC@18V
包装方式：管件
输入电容：6230pF@800V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：686W
阈值电压：4.63V@37mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：329nC@18V
包装方式：管件
输入电容：6230pF@800V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：686W
阈值电压：4.63V@37mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：329nC@18V
包装方式：管件
输入电容：6230pF@800V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：686W
阈值电压：4.63V@37mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：329nC@18V
包装方式：管件
输入电容：6230pF@800V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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