品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1600,"18+":1900}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1857pF@25V
连续漏极电流:9A€58A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@58A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1600,"18+":1900}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1857pF@25V
连续漏极电流:9A€58A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@58A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000,"9999":300}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA082N10NF2SXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:3.8V@46µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@50V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP130N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP90N055T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2770pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1600,"18+":1900}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1857pF@25V
连续漏极电流:9A€58A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@58A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP90N055T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2770pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP90N055T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2770pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1857pF@25V
连续漏极电流:9A€58A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@58A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA082N10NF2SXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:3.8V@46µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@50V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000,"9999":300}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA082N10NF2SXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:3.8V@46µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@50V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000,"9999":300}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA082N10NF2SXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:3.8V@46µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@50V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA082N10NF2SXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:3.8V@46µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@50V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA082N10NF2SXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:3.8V@46µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@50V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP130N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP130N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP130N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP90N055T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2770pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP130N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1857pF@25V
连续漏极电流:9A€58A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@58A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1857pF@25V
连续漏极电流:9A€58A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@58A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA082N10NF2SXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:3.8V@46µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@50V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":3000,"9999":300}
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IPA082N10NF2SXKSA1
输入电容:2000pF@50V
功率:35W
类型:N沟道
阈值电压:3.8V@46µA
导通电阻:8.2mΩ@30A,10V
栅极电荷:42nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
连续漏极电流:46A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA082N10NF2SXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:3.8V@46µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@50V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IPA082N10NF2SXKSA1
输入电容:2000pF@50V
功率:35W
类型:N沟道
阈值电压:3.8V@46µA
导通电阻:8.2mΩ@30A,10V
栅极电荷:42nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
连续漏极电流:46A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1857pF@25V
连续漏极电流:9A€58A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@58A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP130N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP130N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP130N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1857pF@25V
连续漏极电流:9A€58A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@58A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存: