采购热线 400-661-9010
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035G4WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHP23NQ11T，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@13A，10V
漏源电压：110V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035G4WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：1600}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB18N06G
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF256L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€33W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1165pF@75V
连续漏极电流：3A€12A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：245}
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHP23NQ11T，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@13A，10V
漏源电压：110V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035G4WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
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栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：1600}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB18N06G
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
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栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHP23NQ11T，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
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库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHP23NQ11T，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@13A，10V
漏源电压：110V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
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栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
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库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF256L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€33W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1165pF@75V
连续漏极电流：3A€12A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF256L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€33W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1165pF@75V
连续漏极电流：3A€12A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
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包装方式：管件
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连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035G4WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
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连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
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包装方式：管件
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类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：245}
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
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ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
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漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035G4WSQA
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类型：N沟道
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漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035G4WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
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包装方式：管件
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类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
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ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
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类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035G4WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
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包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
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类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
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包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB18N06G
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF256L
输入电容：1165pF@75V
阈值电压：2.8V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：150V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：85mΩ@10A，10V
功率：2.1W€33W
包装方式：管件
栅极电荷：22nC@10V
连续漏极电流：3A€12A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：300psc
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
输入电容：1500pF@400V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
漏源电压：650V
导通电阻：41mΩ@32A，10V
阈值电压：4.5V@1mA
包装方式：管件
栅极电荷：22nC@10V
功率：187W
连续漏极电流：47.2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035G4WSQA
输入电容：1500pF@400V
类型：N沟道
阈值电压：4.8V@1mA
导通电阻：41mΩ@30A，10V
工作温度：-55℃~175℃
漏源电压：650V
包装方式：管件
栅极电荷：22nC@10V
功率：187W
连续漏极电流：47.2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
