采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4790}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：58，"23+"：2500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ120N20P
工作温度：-55℃~175℃
功率：714W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ200N10T
工作温度：-55℃~175℃
功率：550W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9400pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：10697，"MI+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP047N08-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：268W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9415pF@25V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：58，"23+"：2500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：58，"23+"：2500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ120N20P
工作温度：-55℃~175℃
功率：714W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4790}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP047N08-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：268W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9415pF@25V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：58，"23+"：2500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP047N08-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：268W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9415pF@25V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4790}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ200N10T
工作温度：-55℃~175℃
功率：550W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9400pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP047N08-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：268W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9415pF@25V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTN200N10T
工作温度：-55℃~175℃
功率：550W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9400pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP047N08-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：268W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9415pF@25V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
