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    onsemi Mosfet场效应管 NTD4815NH-1G 起订3562个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4815NH-1G 起订3562个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":265,"10+":63975}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4815NH-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.26W€32.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:845pF@12V

    连续漏极电流:6.9A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4979N-35G 起订1086个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4979N-35G 起订1086个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":10875}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4979N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.38W€26.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:837pF@15V

    连续漏极电流:9.4A€41A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP160N3LL 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STP160N3LL 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP160N3LL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:42nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NH-35G 起订1886个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NH-35G 起订1886个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":39440,"09+":57,"10+":24375}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4809NH-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2155pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4965N-35G 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4965N-35G 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":300,"15+":25815}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4965N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.39W€38.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.2nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1710pF@15V

    连续漏极电流:13A€68A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP200N3LL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@60A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4810N-1G 起订1781个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4810N-1G 起订1781个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":6700,"08+":2850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4810N-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@12V

    连续漏极电流:9A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4804N-35G 起订713个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4804N-35G 起订713个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":150,"10+":39754,"11+":3975}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4804N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.43W€107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:4490pF@12V

    连续漏极电流:14.5A€124A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP8870 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP8870 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP8870

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:132nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@15V

    连续漏极电流:19A€156A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NA-35G 起订1781个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NA-35G 起订1781个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":1415,"09+":1425}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4809NA-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1456pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806N-35G 起订1336个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806N-35G 起订1336个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":300,"14+":11700,"15+":34050}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4806N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2142pF@12V

    连续漏极电流:11.3A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP200N3LL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@60A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4969N-35G 起订1781个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4969N-35G 起订1781个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":35765,"16+":7725}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4969N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.38W€26.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:837pF@15V

    连续漏极电流:9.4A€41A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订200个装
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订200个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP200N3LL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@60A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NA-1G 起订3562个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NA-1G 起订3562个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":48500,"07+":37500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4809NA-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1456pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订750个装
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订750个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP200N3LL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@60A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4965N-35G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4965N-35G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":300,"15+":25815}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4965N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.39W€38.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.2nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1710pF@15V

    连续漏极电流:13A€68A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806N-35G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806N-35G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":300,"14+":11700,"15+":34050}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4806N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2142pF@12V

    连续漏极电流:11.3A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4808N-35G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4808N-35G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":4265,"08+":840}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4808N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€54.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1538pF@12V

    连续漏极电流:10A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP40NF03L 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STP40NF03L 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP40NF03L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP200N3LL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@60A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813N-35G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813N-35G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":6150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4813N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€35.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.9nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:860pF@12V

    连续漏极电流:7.6A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP40NF03L 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STP40NF03L 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP40NF03L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813N-1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813N-1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":6645}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4813N-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€35.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.9nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:860pF@12V

    连续漏极电流:7.6A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP200N3LL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@60A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP160N3LL 起订537个装
    ST Mosfet场效应管 STP160N3LL 起订537个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":125000,"MI+":1000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP160N3LL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809N-35G 起订1687个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809N-35G 起订1687个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4809N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1456pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4815NH-1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4815NH-1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4815NH-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.26W€32.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:845pF@12V

    连续漏极电流:6.9A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4808N-35G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4808N-35G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4808N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€54.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1538pF@12V

    连续漏极电流:10A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806N-35G 起订1336个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806N-35G 起订1336个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4806N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2142pF@12V

    连续漏极电流:11.3A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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