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    包装方式: 管件
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    当前匹配商品:30+
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    AOS Mosfet场效应管 AOTF2910L 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF2910L 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF2910L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€27W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF2910L 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF2910L 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF2910L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€27W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF2910L 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF2910L 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF2910L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€27W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订1000个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订1000个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订25个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订25个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订100个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订100个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订600个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订600个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订120个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订120个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLIZ34NPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLIZ34NPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLIZ34NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@12A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP22N06 起订3206个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP22N06 起订3206个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"01+":1000,"03+":1670,"04+":1567}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP22N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP22N06L 起订3206个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP22N06L 起订3206个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"01+":1800,"02+":1236,"03+":160,"MI+":50}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP22N06L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:690pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@11A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLIZ34NPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLIZ34NPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLIZ34NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@12A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI22N03S4L15AKSA1 起订1087个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI22N03S4L15AKSA1 起订1087个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":897,"15+":17500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI22N03S4L15AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@10µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订500个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订500个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订250个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订250个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订3个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订3个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI22N03S4L15AKSA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI22N03S4L15AKSA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":897,"15+":17500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI22N03S4L15AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@10µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订120个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订120个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    阈值电压:2.69V@5mA

    类型:N沟道

    漏源电压:1200V

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    连续漏极电流:22A

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    功率:123W

    输入电容:730pF@800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLIZ34NPBF 起订950个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLIZ34NPBF 起订950个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLIZ34NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@12A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF2910L 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF2910L 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):AOTF2910L

    阈值电压:2.7V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    功率:2.1W€27W

    连续漏极电流:22A

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1190pF@50V

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP22N06L 起订3206个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP22N06L 起订3206个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP22N06L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:690pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@11A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP22N06L 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP22N06L 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP22N06L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:690pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@11A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLIZ34NPBF 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLIZ34NPBF 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLIZ34NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@12A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLIZ34NPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLIZ34NPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLIZ34NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@12A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLIZ34NPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLIZ34NPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLIZ34NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@12A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLIZ34NPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLIZ34NPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLIZ34NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@12A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF2910L 起订50个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF2910L 起订50个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF2910L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€27W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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