包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF2910L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€27W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF2910L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€27W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF2910L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€27W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLIZ34NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:37W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25nC@5V
包装方式:管件
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"01+":1000,"03+":1670,"04+":1567}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP22N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"01+":1800,"02+":1236,"03+":160,"MI+":50}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP22N06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:管件
输入电容:690pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@11A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLIZ34NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:37W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25nC@5V
包装方式:管件
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":897,"15+":17500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI22N03S4L15AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:2.2V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:980pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:14.9mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":897,"15+":17500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI22N03S4L15AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:2.2V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:980pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:14.9mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
阈值电压:2.69V@5mA
类型:N沟道
漏源电压:1200V
导通电阻:192mΩ@10A,15V
连续漏极电流:22A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
功率:123W
输入电容:730pF@800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLIZ34NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:37W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25nC@5V
包装方式:管件
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):AOTF2910L
阈值电压:2.7V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
功率:2.1W€27W
连续漏极电流:22A
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1190pF@50V
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP22N06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:管件
输入电容:690pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@11A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP22N06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:管件
输入电容:690pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@11A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLIZ34NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:37W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25nC@5V
包装方式:管件
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLIZ34NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:37W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25nC@5V
包装方式:管件
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLIZ34NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:37W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25nC@5V
包装方式:管件
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLIZ34NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:37W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25nC@5V
包装方式:管件
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF2910L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€27W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: