包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NF20
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":995}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRLZ24NS
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€45W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:管件
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@11A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NF20
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NF20
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NF20
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NF20
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":2765}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD18N06-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€55W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: