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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM048NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：3.1W€136W
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栅极电荷：105nC@10V
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输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TQM050NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6904pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TQM050NB06CR RLG
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功率：3.1W€136W
阈值电压：3.8V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：6904pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM048NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM048NB06LCR RLG
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阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
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输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TQM050NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6904pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
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功率：3.1W€136W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6904pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM045NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6870pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
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类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM048NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：105nC@10V
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输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6904pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM048NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TQM050NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6904pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM048NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6904pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM050NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6904pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM050NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6904pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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功率：3.1W€136W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：114nC@10V
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输入电容：6904pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6904pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
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功率：3.1W€136W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6904pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM050NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6904pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM048NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM045NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
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ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6870pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM050NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6904pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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