采购热线 400-661-9010
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：957，"15+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK754R7-60E，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6230pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1600，"21+"：1136，"22+"：3200，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6607-55C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5160pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB054N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@58µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4728}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6507-55C，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5160pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP057N06N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@58µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6600pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6607-55C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5160pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1400，"19+"：12879，"9999"：484}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7E4R6-60E，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6230pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS4C302NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€115W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5780pF@15V
连续漏极电流：43A€241A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000，"23+"：1413}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB054N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@58µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000，"23+"：3000，"9999"：236，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R5-100PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4454pF@50V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000，"23+"：3000，"9999"：236，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R5-100PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4454pF@50V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS4C302NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€115W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5780pF@15V
连续漏极电流：43A€241A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK764R4-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6230pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6607-55C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5160pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C420NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：43A€268A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5862NG
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4728}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6507-55C，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5160pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1400，"19+"：12879，"9999"：484}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7E4R6-60E，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6230pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000，"23+"：3000，"9999"：236，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R5-100PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4454pF@50V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000，"23+"：1413}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB054N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@58µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：790}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA057N06N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：4V@58µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6600pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK764R4-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6230pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R5-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4454pF@50V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
