品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:4.3V@8mA
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@325V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:4.3V@8mA
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@325V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4510PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3180pF@50V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@37A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW61N65EF-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:625W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:344nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7379pF@100V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4510PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3180pF@50V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@37A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP62N15P
工作温度:-55℃~175℃
功率:350W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@31A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4510PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3180pF@50V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@37A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA250N04S6N005AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3V@145µA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11144pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:0.55mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN014-80YLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:147W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:28.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4640pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y14-80E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:147W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:28.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4640pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y14-80E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:147W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4640pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN014-80YLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:147W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4640pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:4.3V@8mA
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@325V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLB8721PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1077pF@15V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN014-80YLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:147W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4640pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA250N04S6N005AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3V@145µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11144pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:0.55mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN014-80YLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:147W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:28.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4640pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA250N04S6N005AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3V@145µA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11144pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:0.55mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW61N65EF-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:625W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:344nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7379pF@100V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLB8721PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1077pF@15V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLB8721PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1077pF@15V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP62N15P
工作温度:-55℃~175℃
功率:350W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@31A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN014-80YLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:147W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:28.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4640pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:4.3V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@325V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y14-80E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:147W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4640pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP62N15P
工作温度:-55℃~175℃
功率:350W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@31A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP62N15P
工作温度:-55℃~175℃
功率:350W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@31A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLB8721PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1077pF@15V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW61N65EF-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:625W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:344nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7379pF@100V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4510PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3180pF@50V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@37A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: