品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7315pF@25V
连续漏极电流:437A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ142E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6975pF@25V
连续漏极电流:460A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ126EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8095pF@25V
连续漏极电流:500A
类型:N沟道
导通电阻:0.94mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ136ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8015pF@25V
连续漏极电流:350A
类型:N沟道
导通电阻:1.12mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ142E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6975pF@25V
连续漏极电流:460A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF135SA204
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:315nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11690pF@50V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@96A,10V
漏源电压:135V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0630N150
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
连续漏极电流:169A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC025SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:232nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3020pF@1000V
连续漏极电流:103A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@40A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA36EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6636pF@25V
连续漏极电流:350A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4689pF@325V
连续漏极电流:145A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L018N075SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@22mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:262nC@18V
包装方式:管件
输入电容:5010pF@375V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@66A,18V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7315pF@25V
连续漏极电流:437A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75852G3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:480nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7690pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@75A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1247,"22+":1386}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86210-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
连续漏极电流:169A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7315pF@25V
连续漏极电流:437A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7315pF@25V
连续漏极电流:437A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ126EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8095pF@25V
连续漏极电流:500A
类型:N沟道
导通电阻:0.94mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66518
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6460pF@75V
连续漏极电流:214A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7315pF@25V
连续漏极电流:437A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":450}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L018N075SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@22mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:262nC@18V
包装方式:管件
输入电容:5010pF@375V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@66A,18V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ142E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6975pF@25V
连续漏极电流:460A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":246,"MI+":26}
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75852G3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:480nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7690pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@75A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ142E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6975pF@25V
连续漏极电流:460A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4836}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL40T209ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:269nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16000pF@20V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ138ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6685pF@25V
连续漏极电流:315A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":817,"23+":28000}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF135SA204
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:315nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11690pF@50V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@96A,10V
漏源电压:135V
包装清单:商品主体 * 1
库存: