采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2510N8-G
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
导通电阻：3.5Ω@750mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：480mA
功率：1.6W
漏源电压：100V
输入电容：125pF@25V
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5335K1-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：350V
输入电容：110pF@25V
类型：P沟道
连续漏极电流：85mA
ECCN：EAR99
导通电阻：30Ω@200mA，10V
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0106N3-G
包装方式：袋
输入电容：65pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3Ω@1A，10V
功率：1W
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：350mA
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：60V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
ECCN：EAR99
阈值电压：2.4V@1mA
导通电阻：10Ω@200mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2110K1-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2540N8-G
导通电阻：25Ω@100mA，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：125mA
阈值电压：2.4V@1mA
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2106N3-G
包装方式：袋
连续漏极电流：300mA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
类型：N沟道
漏源电压：60V
导通电阻：4Ω@500mA，10V
阈值电压：2.4V@1mA
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：60V
连续漏极电流：120mA
阈值电压：2.4V@1mA
导通电阻：10Ω@200mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0604N3-G
功率：740mW
包装方式：袋
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：40V
连续漏极电流：430mA
输入电容：150pF@20V
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC8220K6-G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@25V€75pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
ECCN：EAR99
导通电阻：6Ω@1A，10V
漏源电压：200V
阈值电压：2.4V@1mA
类型：2个N通道和2个P通道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2540N8-G
导通电阻：25Ω@100mA，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：125mA
阈值电压：2.4V@1mA
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2106N3-G
包装方式：袋
连续漏极电流：300mA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
类型：N沟道
漏源电压：60V
导通电阻：4Ω@500mA，10V
阈值电压：2.4V@1mA
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2510N8-G
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：3.5Ω@750mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：125pF@25V
类型：P沟道
连续漏极电流：480mA
功率：1.6W
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2510N8-G
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：3.5Ω@750mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：125pF@25V
类型：P沟道
连续漏极电流：480mA
功率：1.6W
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：60V
连续漏极电流：120mA
阈值电压：2.4V@1mA
导通电阻：10Ω@200mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0606N3-G
包装方式：袋
连续漏极电流：320mA
类型：P沟道
导通电阻：3.5Ω@750mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：150pF@25V
功率：1W
漏源电压：60V
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2502N8-G
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：20V
输入电容：125pF@20V
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@1mA
连续漏极电流：630mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2130K1-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
类型：N沟道
输入电容：50pF@25V
导通电阻：25Ω@120mA，4.5V
连续漏极电流：85mA
ECCN：EAR99
漏源电压：300V
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5335K1-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：350V
输入电容：110pF@25V
类型：P沟道
连续漏极电流：85mA
ECCN：EAR99
导通电阻：30Ω@200mA，10V
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC7920K6-G
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52pF@25V€54pF@25V
类型：2个N通道和2个P通道
导通电阻：10Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC8220K6-G
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@25V€75pF@25V
类型：2个N通道和2个P通道
导通电阻：6Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC7920K6-G
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52pF@25V€54pF@25V
类型：2个N通道和2个P通道
导通电阻：10Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5322K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2510N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：P沟道
导通电阻：3.5Ω@750mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0606N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：P沟道
导通电阻：3.5Ω@750mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2130K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：85mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，4.5V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2110K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2540N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：125mA
类型：P沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
