采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA8051L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA8051L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA8051L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA8051L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA8051L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA8051L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA8051L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA8051L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA8051L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
