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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB406EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.95W€10W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@3.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1416EDH-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A€3.9A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA923EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：54mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA921EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3130NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：935pF@16V
连续漏极电流：4.23A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16327Q3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3402-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5457DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD401ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.573Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA440DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS932EDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W€23W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@10A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3419
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.8A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@13.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD401ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.573Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2100UFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：906pF@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：2P沟道（双）共漏
导通电阻：38mΩ@3.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7540ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：12A€9A
类型：N和P沟道
导通电阻：28mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5457DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7157DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：625nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22000pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8409DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.47W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3053L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：676pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2046U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA906EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@3.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3402
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3402L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：464pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO7401
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：5.06nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：409pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7137DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：585nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20000pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：1.95mΩ@25A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA008P20LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4383pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
