品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC031N06NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:4V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH11P50
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
输入电容:4700pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@5.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB17N50LPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:220W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2760pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@9.9A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH24N90P
工作温度:-55℃~150℃
功率:660W
阈值电压:6.5V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
输入电容:7200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@12A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB17N50LPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:220W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2760pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@9.9A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB17N50LPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:220W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2760pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@9.9A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE40PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@3.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE40PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@3.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G201ATTB1
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6890pF@20V
连续漏极电流:20A€78A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS6673BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5915pF@15V
连续漏极电流:15.2A€28A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@15.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE40PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@3.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS32304
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€78W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5970pF@15V
连续漏极电流:40A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT8P50
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3400pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH24N90P
工作温度:-55℃~150℃
功率:660W
阈值电压:6.5V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
输入电容:7200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@12A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE40PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@3.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G201ATTB1
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6890pF@20V
连续漏极电流:20A€78A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G201ATTB1
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6890pF@20V
连续漏极电流:20A€78A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR158DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4980pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS32304
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€78W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5970pF@15V
连续漏极电流:40A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE40PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@3.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG050N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3459pF@100V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR158DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4980pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR158DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4980pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G201ATTB1
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6890pF@20V
连续漏极电流:20A€78A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS6673BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5915pF@15V
连续漏极电流:15.2A€28A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@15.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: