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    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~150℃
    栅极电荷: 62nC@10V
    当前匹配商品:300+
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19532Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4810pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG17N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG17N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG17N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1260pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB17N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB17N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB17N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1260pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19532Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4810pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH11N60EF-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH11N60EF-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1078pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:357mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG17N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG17N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG17N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1260pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W€96.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@50V

    连续漏极电流:25.1A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W€96.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@50V

    连续漏极电流:25.1A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH11N60EF-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH11N60EF-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1078pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:357mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5B 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5B 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19532Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4810pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB110N65S3HF 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB110N65S3HF 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB110N65S3HF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240W

    阈值电压:5V@740µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2635pF@400V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP340PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP340PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP340PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W€96.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@50V

    连续漏极电流:25.1A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W€96.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@50V

    连续漏极电流:25.1A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5BT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5BT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19532Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4810pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订1250个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订1250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF260N60E 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF260N60E 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF260N60E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB110N65S3HF 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB110N65S3HF 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB110N65S3HF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240W

    阈值电压:5V@740µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2635pF@400V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF260N60E 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF260N60E 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF260N60E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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