采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB041PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@100V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@21.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C020NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€134W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10144pF@15V
连续漏极电流：47A€303A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH104N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
输入电容：5950pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@18.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1378}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C01NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€134W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10144pF@15V
连续漏极电流：47A€303A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3012LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.29W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6807pF@15V
连续漏极电流：13.2A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1378}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C01NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€134W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10144pF@15V
连续漏极电流：47A€303A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB041PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@100V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@21.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3012LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.29W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6807pF@15V
连续漏极电流：13.2A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C020NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€134W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10144pF@15V
连续漏极电流：47A€303A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3012LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.29W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6807pF@15V
连续漏极电流：13.2A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3012LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.29W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6807pF@15V
连续漏极电流：13.2A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3012LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.29W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6807pF@15V
连续漏极电流：13.2A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C020NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€134W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10144pF@15V
连续漏极电流：47A€303A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C020NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€134W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10144pF@15V
连续漏极电流：47A€303A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C020NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€134W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10144pF@15V
连续漏极电流：47A€303A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH104N60F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4302pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@18.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3012LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.29W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6807pF@15V
连续漏极电流：13.2A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3012LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.29W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6807pF@15V
连续漏极电流：13.2A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3012LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.29W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6807pF@15V
连续漏极电流：13.2A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：159}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH104N60F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4302pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@18.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH104N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
输入电容：5950pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@18.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3012LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.29W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6807pF@15V
连续漏极电流：13.2A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3012LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.29W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6807pF@15V
连续漏极电流：13.2A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C020NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€134W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10144pF@15V
连续漏极电流：47A€303A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3012LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.29W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6807pF@15V
连续漏极电流：13.2A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3012LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.29W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6807pF@15V
连续漏极电流：13.2A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB041PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@100V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@21.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3012LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.29W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6807pF@15V
连续漏极电流：13.2A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3012LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.29W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6807pF@15V
连续漏极电流：13.2A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C020NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€134W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10144pF@15V
连续漏极电流：47A€303A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
