品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:11A€58A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:11A€58A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:12A€59A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5000,"22+":357}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:11A€58A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5434,"23+":3295,"24+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:12A€59A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:11A€58A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5434,"23+":3295,"24+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:12A€59A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:12A€59A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:12A€59A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5000,"22+":357}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:11A€58A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5622}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:11A€58A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:11A€58A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:11A€58A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):ISC0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:12A€59A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5434,"23+":3295,"24+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:12A€59A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:12A€59A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5434,"23+":3295,"24+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:12A€59A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:11A€58A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:12A€59A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:12A€59A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0804NLSATMA1
连续漏极电流:12A€59A
输入电容:1600pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.3V@28µA
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
功率:2.5W€60W
漏源电压:100V
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5000,"22+":357}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:11A€58A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5000,"22+":357}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:11A€58A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5622}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:11A€58A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:12A€59A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5000,"22+":357}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:11A€58A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
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行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5622}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:11A€58A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
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销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:11A€58A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:12A€59A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:12A€59A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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