采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2270pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4953DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7862TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4090pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9317TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@50µA
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2820pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.6mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8714TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7934
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@15V
连续漏极电流：13A€15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10.2mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4953DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4953DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4953DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4953DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4953DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4953DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4953DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2270pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2270pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4953DCS RLG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：60mΩ@4.9A，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
功率：2.5W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4953DCS RLG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：60mΩ@4.9A，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
功率：2.5W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
