采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R018CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4.5V@2.91mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：234nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11659pF@400V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@58.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R019C7FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@2.92mA
栅极电荷：215nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9900pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@58.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R019C7FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@2.92mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：215nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9900pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@58.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW21N150K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3145pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@7A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R018CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4.5V@2.91mA
栅极电荷：234nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11659pF@400V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@58.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB041PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@100V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@21.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@2.1mA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5665pF@400V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@32.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH085N80-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4.5V@4.6mA
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10825pF@100V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@23A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R017C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@2.91mA
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9890pF@400V
连续漏极电流：109A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@58.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R017C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@2.91mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9890pF@400V
连续漏极电流：109A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@58.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@2.1mA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5665pF@400V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@32.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：14374，"17+"：186，"MI+"：400}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ60R017C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@2.91mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9890pF@400V
连续漏极电流：109A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@58.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：14374，"17+"：186，"MI+"：400}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ60R017C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@2.91mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9890pF@400V
连续漏极电流：109A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@58.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ65R019C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@2.92mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：215nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9900pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@58.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R018CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4.5V@2.91mA
栅极电荷：234nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11659pF@400V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@58.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW72N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5508pF@100V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@33A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW65N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3230pF@100V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@23A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW65N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3230pF@100V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@23A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R018CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4.5V@2.91mA
栅极电荷：234nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11659pF@400V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@58.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW72N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5508pF@100V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@33A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH085N80-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4.5V@4.6mA
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10825pF@100V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@23A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STWA63N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@100V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@30A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5508pF@100V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@33A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ65R019C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@2.92mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：215nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9900pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@58.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH085N80-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4.5V@4.6mA
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10825pF@100V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@23A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：4950}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL040N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@2.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：159nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5945pF@400V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@32.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW63N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@100V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@30A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW21N150K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3145pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@7A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB041PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@100V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@21.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW21N150K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3145pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@7A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
