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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：18.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：18.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：18.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：23nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：18.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：18.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T075CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：325mΩ@3.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：18.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：18.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：23nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：18.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：18.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T075CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：325mΩ@3.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：18.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T075CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：325mΩ@3.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T075CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：325mΩ@3.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T075CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：325mΩ@3.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：18.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T075CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：325mΩ@3.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：18.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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