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    ST Mosfet场效应管 STD11N65M2 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STD11N65M2 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD11N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:670mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC22DN20NS3GATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC22DN20NS3GATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC22DN20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V@13µA

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:225mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9875-100A/CUX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9875-100A/CUX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9875-100A/CUX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB23XNE,115 起订23个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB23XNE,115 起订23个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB23XNE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G07P04S 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G07P04S 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G07P04S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@20V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1 起订699个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1 起订699个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPLK60R600PFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:344pF@400V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R750P7ATMA1 起订592个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R750P7ATMA1 起订592个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R750P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:51W

    阈值电压:3.5V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@500V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL7N6F7 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STL7N6F7 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL7N6F7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG7408SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:478.9pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8984 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8984 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8984

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO8810 起订14个装
    AOS Mosfet场效应管 AO8810 起订14个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO8810

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:20mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL7N10F7 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STL7N10F7 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL7N10F7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@50V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMB3900AN 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMB3900AN 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMB3900AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@13V

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS17D0P03P8ZTAG 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS17D0P03P8ZTAG 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86141 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86141 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86141

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:934pF@50V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7880-55A/CUX 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7880-55A/CUX 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7880-55A/CUX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@10A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9880-55A/CUX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9880-55A/CUX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9880-55A/CUX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:11nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:584pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:73mΩ@8A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25KTC 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25KTC 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A25KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.11W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1063pF@30V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MSJU07N65A-TP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 MSJU07N65A-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:63W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:545pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R750P7ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R750P7ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R750P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.2W

    阈值电压:3.5V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@500V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 8-SOIC 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 8-SOIC 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):8-SOIC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC22DN20NS3GATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC22DN20NS3GATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC22DN20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:225mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD11N65M2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD11N65M2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD11N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:670mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R750P7ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R750P7ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R750P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:51W

    阈值电压:3.5V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@500V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4744NT1G 起订1145个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4744NT1G 起订1145个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":1000,"08+":149685,"09+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4744NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:880mW€47.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3042LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8032L 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8032L 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8032L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@20V

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM-WS 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM-WS 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL7N6F7 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STL7N6F7 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL7N6F7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042LFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042LFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3042LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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