采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN335N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBF20SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBF20STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR310PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN335N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBF20SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：2.93nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：258pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N02FTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@930mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R3K3C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：18.1W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：93pF@100V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R3K3C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：18.1W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：93pF@100V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR310PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A13GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：219pF@30V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5nC@5V
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：274pF@50V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5630
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N02FTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@930mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7820DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU50R3K0CEAKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：3.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：84pF@100V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@400mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR310PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2200UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：200mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO7400
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R3K3C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：18.1W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：93pF@100V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N02FTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@930mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
