采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA416DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@50V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA416DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@50V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA416DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@50V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQAF16N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@5.65A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA416DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@50V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA416DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@50V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5000，"24+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5076}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA416DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@50V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA416DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@50V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5000，"24+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA416DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@50V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA416DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@50V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA416DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@50V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：6486}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA416DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@50V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
