采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG70N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：410nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5348pF@100V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH040N65S3-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：4.5V@6.5mA
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4740pF@400V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@32.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：273nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5682pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH040N65S3-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：4.5V@6.5mA
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4740pF@400V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@32.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH47N60-F133
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8000F@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW90R120C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.5V@2.9mA
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6800pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@26A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG70N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：410nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5348pF@100V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCA47N60-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8000pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4000，"23+"：1600，"MI+"：800}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH040N65S3-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：4.5V@6.5mA
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4740pF@400V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@32.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG44N65EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：278nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5892pF@100V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG44N65EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：278nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5892pF@100V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT22N50L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3710pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：273nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5682pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT22N50L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3710pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH47N60-F133
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8000F@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW90R120C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.5V@2.9mA
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6800pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@26A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOK20N60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：370mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG73N60AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：394nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@100V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@36.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH47N60-F133
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8000F@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG44N65EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：278nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5892pF@100V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH47N60-F133
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8000F@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH040N65S3-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：4.5V@6.5mA
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4740pF@400V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@32.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
