采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0605
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0605
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0605
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0605
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0605
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0605
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0605
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0605
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：5Ω@500mA，10V
功率：360mW
连续漏极电流：180mA
栅极电荷：2.5nC@10V
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：79pF@25V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：5W
栅极电荷：27nC@10V
漏源电压：60V
连续漏极电流：6.1A
阈值电压：3V@250μA
输入电容：1.31nF@30V
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.3A
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
功率：1.8W
输入电容：969pF@30V
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：5W
栅极电荷：27nC@10V
漏源电压：60V
连续漏极电流：6.1A
阈值电压：3V@250μA
输入电容：1.31nF@30V
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：5W
栅极电荷：27nC@10V
漏源电压：60V
连续漏极电流：6.1A
阈值电压：3V@250μA
输入电容：1.31nF@30V
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
