采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：923pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：94pF@15V
导通电阻：12mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU014PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：923pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：94pF@15V
导通电阻：12mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：701，"22+"：3610，"23+"：2632}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86256
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.3W€10W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@75V
连续漏极电流：1.2A€3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1pF@75V
导通电阻：695mΩ@10V，1.2A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8647L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€43W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.64nF@20V
连续漏极电流：14A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，13A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：5398，"14+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN085-150K，518
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.31nF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：16000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，4.75A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G50N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.45V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@30μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.147nF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT55N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.988nF@30V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：1.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
反向传输电容：54pF@25V
导通电阻：9.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS52DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.95nF@15V
连续漏极电流：47.1A€162A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD18N20LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.575nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：20746，"13+"：46006，"15+"：50000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB420UN，315
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：980pC@4.5V
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：490mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD20N06TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：16.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，8.4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C2M0025120D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：463W
阈值电压：2.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：161nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2.788nF@1000V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@50A，20V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000BU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD18N20LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.575nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：1000}
包装规格(MPQ)：156psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3058-Z-E1-AZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2.1nF@10V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
